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产品信息
制造商产品编号STD2NK90ZT4
库存编号2353658
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds900V
电流, Id 连续2.1A
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.75V
功率耗散70W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- 900V, 2.1A N-channel SuperMESH™ power MOSFETs in 3 pin DPAK package
- Extremely high dv/dt capability
- 100% avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- Zener protected
- Suitable for switching applications
- Optimization of the well-established PowerMESH™
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.1A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
70W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
900V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0001