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STD30NF06LT4
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 35A, DPAK
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产品概述
STD30NF06LT4 是一款 N 沟道 STripFET™II 功率 MOSFET，采用单特征尺寸条状工艺。所生产的晶体管具有极高的堆积密度，导通电阻低，雪崩特性稳定，关键的对准步骤少，因而具有显著的制造可重复性。
- 极高的 dv/dt 能力
- 逻辑电平栅极驱动
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
2.5V
功率耗散
70W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.028ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000541