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| 100+ | CNY6.070 (CNY6.8591) |
| 500+ | CNY4.800 (CNY5.424) |
| 1000+ | CNY3.410 (CNY3.8533) |
| 5000+ | CNY3.350 (CNY3.7855) |
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产品信息
制造商产品编号STD3NK60ZT4
库存编号2098171
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续2.4A
漏源接通状态电阻3.6ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.75V
功率耗散45W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The STD3NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
- Ideal for off-line power supplies, adaptors and PFC
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.4A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
45W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
3.6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000523