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STD65N55F3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 32 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
产品信息
制造商产品编号STD65N55F3
库存编号1752050RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds55V
电流, Id 连续32A
漏源接通状态电阻6.5ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散110W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The STD65N55F3 is a STripFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET designed with latest refinement of unique Single Feature Size™ strip-based process. The process decreased the critical alignment steps, offering remarkable manufacturing reproducibility. The outcome is a transistor with extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.
- Standard threshold drive
- 100% Avalanche tested
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
32A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
110W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
6.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002