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STF10N60M2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220FP, 通孔
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|---|---|
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| 100+ | CNY6.080 (CNY6.8704) |
| 500+ | CNY4.980 (CNY5.6274) |
| 1000+ | CNY4.970 (CNY5.6161) |
| 5000+ | CNY4.960 (CNY5.6048) |
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产品概述
STF10N60M2 is a N-channel power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters. Typical used for switching applications.
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (Coss) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- 650V drain-source breakdown voltage at Tjmax
- 4V gate threshold voltage at VDS = VGS, ID = 250µA
- 0.60 ohm static drain-source on-resistance max
- TO-220FP package
- 7.5A drain current (continuous) at TC = 25 °C
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
7.5A
晶体管封装类型
TO-220FP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.55ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
MDmesh M2
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
STF10N60M2 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0023