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STF5NK100Z
功率场效应管, MOSFET, N通道, 1 kV, 1.75 A, 2.7 ohm, TO-220FP, 通孔
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产品信息
制造商产品编号STF5NK100Z
库存编号1752090
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds1kV
电流, Id 连续1.75A
漏源接通状态电阻2.7ohm
晶体管封装类型TO-220FP
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压30V
阈值栅源电压最大值3.75V
功率耗散30W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The STF5NK100Z is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. This new SuperMESH™ Power MOSFET is the result of further design improvements on ST's well-established strip based PowerMESH™ layout. In addition to significantly lower ON-resistance, the device offers superior dV/dt capability to ensure optimal performance even in the most demanding applications. The SuperMESH™ device further complements an already broad range of innovative high voltage MOSFETs, which includes the revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.75A
晶体管封装类型
TO-220FP
Rds(on)测试电压
30V
功率耗散
30W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
1kV
漏源接通状态电阻
2.7ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423300
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002722