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STGB18N40LZT4
IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263 (D2PAK), 3 引脚
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产品概述
The STGB18N40LZT4 is an internally clamped IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diode between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low ON-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system. It is suitable for pencil coil electronic ignition drive.
- ESD gate-emitter protection
- Gate-collector high voltage clamping
- Logic level gate drive
- Low saturation voltage
- High pulsed current capability
- Gate and gate-emitter resistor
- 180mJ Avalanche energy @ TC = 150°C, L = 3mH
技术规格
连续集电极电流
30A
功率耗散
150W
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
集电极-发射极饱和电压
1.35V
最大集电极发射电压
390V
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001913