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STGE200NB60S
IGBT模块, 单, 200 A, 1.6 V, 600 W, 150 °C, ISOTOP
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产品信息
制造商产品编号STGE200NB60S
库存编号1293645
技术数据表
IGBT配置单
连续集电极电流200A
连续集电极电流200A
集电极-发射极饱和电压1.6V
功率耗散600W
工作温度最高值150°C
针脚数4引脚
晶体管封装类型ISOTOP
IGBT端接螺丝
最大集电极发射电压600V
IGBT技术-
晶体管安装面板
产品范围-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The STGE200NB60S is a N-channel low drop PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The suffix S identifies a family optimized to achieve very low VCE(sat) (at maximum frequency of 1kHz).
- High input impedance (voltage driven)
- Low on-voltage drop (Vcesat)
- Off losses include tail current
- Low gate charge
- High current capability
技术规格
IGBT配置
单
连续集电极电流
200A
功率耗散
600W
针脚数
4引脚
IGBT端接
螺丝
IGBT技术
-
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
连续集电极电流
200A
集电极-发射极饱和电压
1.6V
工作温度最高值
150°C
晶体管封装类型
ISOTOP
最大集电极发射电压
600V
晶体管安装
面板
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Morocco
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Morocco
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.03