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50+ | CNY144.310 (CNY163.0703) |
100+ | CNY136.630 (CNY154.3919) |
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产品信息
制造商产品编号STGSH80HB65DAG
库存编号4294108
技术数据表
IGBT配置半桥
连续集电极电流83A
集电极-发射极饱和电压1.7V
功率耗散250W
工作温度最高值175°C
晶体管封装类型ACEPACK SMIT
IGBT端接焊接
最大集电极发射电压650V
IGBT技术-
晶体管安装表面安装
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
1.7V
工作温度最高值
175°C
IGBT端接
焊接
IGBT技术
-
产品范围
-
连续集电极电流
83A
功率耗散
250W
晶体管封装类型
ACEPACK SMIT
最大集电极发射电压
650V
晶体管安装
表面安装
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0082