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STGW40M120DF3
IGBT, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
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|---|---|
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| 10+ | CNY43.930 (CNY49.6409) |
| 50+ | CNY42.310 (CNY47.8103) |
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| 250+ | CNY39.070 (CNY44.1491) |
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产品信息
制造商产品编号STGW40M120DF3
库存编号2470028
技术数据表
连续集电极电流80A
集电极-发射极饱和电压1.85V
功率耗散468W
最大集电极发射电压1.2kV
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
晶体管安装通孔
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The STGW40M120DF3 is a Trench gate field-stop IGBT developed using an advanced proprietary Trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBT, which represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short-circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
- Tight parameters distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and fast recovery anti-parallel diode
- 10µs Short-circuit withstand time
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
连续集电极电流
80A
功率耗散
468W
晶体管封装类型
TO-247
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
集电极-发射极饱和电压
1.85V
最大集电极发射电压
1.2kV
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002