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STL3NM60N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 2.2 A, 1.5 ohm, PowerFLAT, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY23.770 (CNY26.8601) |
| 10+ | CNY14.180 (CNY16.0234) |
| 100+ | CNY10.450 (CNY11.8085) |
| 500+ | CNY9.070 (CNY10.2491) |
| 1000+ | CNY7.390 (CNY8.3507) |
| 5000+ | CNY7.330 (CNY8.2829) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商产品编号STL3NM60N
库存编号2629759
产品范围Mdmesh II
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续2.2A
漏源接通状态电阻1.5ohm
晶体管封装类型PowerFLAT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散22W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Mdmesh II
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.2A
晶体管封装类型
PowerFLAT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
22W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
1.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
Mdmesh II
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001