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STL42P6LLF6
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 42 A, 0.023 ohm, PowerFLAT, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.960 (CNY18.0348) |
| 10+ | CNY11.130 (CNY12.5769) |
| 100+ | CNY8.060 (CNY9.1078) |
| 500+ | CNY6.450 (CNY7.2885) |
| 1000+ | CNY5.280 (CNY5.9664) |
| 5000+ | CNY5.200 (CNY5.876) |
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产品信息
制造商产品编号STL42P6LLF6
库存编号2807202
产品范围STripFET F6
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续42A
漏源接通状态电阻0.023ohm
晶体管封装类型PowerFLAT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散100W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围STripFET F6
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
STL42P6LLF6 is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology with a new trench gate structure. Suitable for switching applications.
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
- Drain-source breakdown voltage is -60V at VGS = 0V, ID = -250µA
- Drain current (continuous) at TC = 25°C is -42A
- 34mohm max static drain-source on resistance
- PowerFLAT 5x6 package
- Operating junction temperature range from -55 to 175°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
42A
晶体管封装类型
PowerFLAT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
100W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.023ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
STripFET F6
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000142