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STL7DN6LF3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.035 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商产品编号STL7DN6LF3
库存编号3132772RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续20A
在电阻RDS（上）0.035ohm
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.035ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.035ohm
阈值栅源电压最大值2.5V
晶体管封装类型PowerFLAT
功耗 Pd52W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道52W
耗散功率P沟道52W
工作温度最高值175°C
产品范围STripFET F3 Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.035ohm
连续漏极电流 Id P沟道
20A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.035ohm
晶体管封装类型
PowerFLAT
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
52W
产品范围
STripFET F3 Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
20A
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.035ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
52W
耗散功率N沟道
52W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00035