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STL8DN10LF3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY13.110 (CNY14.8143) |
| 100+ | CNY9.370 (CNY10.5881) |
| 500+ | CNY8.980 (CNY10.1474) |
| 1000+ | CNY8.590 (CNY9.7067) |
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产品信息
制造商产品编号STL8DN10LF3
库存编号2807206
产品范围STripFET F3
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续20A
漏源接通状态电阻0.025ohm
晶体管封装类型PowerFLAT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散70W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围STripFET F3
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
PowerFLAT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
70W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.025ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
STripFET F3
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000137