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STL8DN6LF3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm
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| 10+ | CNY8.240 (CNY9.3112) |
| 100+ | CNY7.810 (CNY8.8253) |
| 500+ | CNY7.380 (CNY8.3394) |
| 1000+ | CNY6.950 (CNY7.8535) |
| 5000+ | CNY6.520 (CNY7.3676) |
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产品信息
制造商产品编号STL8DN6LF3
库存编号4036343
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.03ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型PowerFLAT
针脚数8引脚
耗散功率N沟道65W
耗散功率P沟道65W
工作温度最高值175°C
产品范围STripFET F3 Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
65W
产品范围
STripFET F3 Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.03ohm
晶体管封装类型
PowerFLAT
耗散功率N沟道
65W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000076