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STL8DN6LF6AG
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm
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|---|---|
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| 500+ | CNY5.110 (CNY5.7743) |
| 1000+ | CNY4.980 (CNY5.6274) |
| 5000+ | CNY4.860 (CNY5.4918) |
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产品信息
制造商产品编号STL8DN6LF6AG
库存编号3367090RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续32A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.021ohm
连续漏极电流 Id N沟道32A
连续漏极电流 Id P沟道32A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.027ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
阈值栅源电压最大值2.5V
晶体管封装类型PowerFLAT
功耗 Pd55W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道55W
耗散功率P沟道55W
工作温度最高值175°C
产品范围STripFET F6 Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
32A
在电阻RDS（上）
0.021ohm
连续漏极电流 Id P沟道
32A
漏源通态电阻N沟道
0.027ohm
漏源导通电阻P沟道
-
晶体管封装类型
PowerFLAT
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
55W
产品范围
STripFET F6 Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
32A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
55W
耗散功率N沟道
55W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000076