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STN1NK80Z
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, 表面安装
产品信息
制造商产品编号STN1NK80Z
库存编号1752119
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds800V
电流, Id 连续250mA
漏源接通状态电阻16ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压30V
阈值栅源电压最大值3.75V
功率耗散2.5W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
STN1NK80Z是一款800V N沟道齐纳保护SuperMESH™ MOSFET, 具有PowerMESH™布局优化. 显着降低导通电阻, 以及非常好的dv/dt能力, 非常适合有苛刻要求的应用. 改良栅极电荷, 低功耗, 可以满足当今具有挑战性的效率需求.
- 极高的dv/dt能力
- 增强型ESD性能
- 100％经过雪崩测试
- 高压基准
- 减少栅极电荷
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
250mA
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
30V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
16ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.75V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002