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STN3P6F6
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商产品编号STN3P6F6
库存编号2629749
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续3A
漏源接通状态电阻0.13ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散2.6W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围DeepGATE STripFET VI
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.6W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.13ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
4引脚
产品范围
DeepGATE STripFET VI
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00011