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STO67N60DM6
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 33 A, 0.048 ohm, TO-LL HV, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY36.970 (CNY41.7761) |
| 10+ | CNY33.270 (CNY37.5951) |
| 100+ | CNY31.300 (CNY35.369) |
| 500+ | CNY29.080 (CNY32.8604) |
| 1000+ | CNY27.110 (CNY30.6343) |
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最低: 1
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产品信息
制造商产品编号STO67N60DM6
库存编号3577218
产品范围MDmesh DM6
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续33A
漏源接通状态电阻0.048ohm
晶体管封装类型TO-LL HV
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散150W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围MDmesh DM6
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
33A
晶体管封装类型
TO-LL HV
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.048ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
MDmesh DM6
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00008