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STP120NF10
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 110 A, 0.009 ohm, TO-220, 通孔
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|---|---|
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| 10+ | CNY28.480 (CNY32.1824) |
| 100+ | CNY22.990 (CNY25.9787) |
| 500+ | CNY20.430 (CNY23.0859) |
| 1000+ | CNY17.430 (CNY19.6959) |
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产品信息
制造商产品编号STP120NF10
库存编号1611428
产品范围STP
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续110A
漏源接通状态电阻0.009ohm
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散312W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围STP
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
STP120NF10是一款N沟道功率MOSFET, STMicroelectronics独特的STripFET™工艺设计提供最小的导通电阻. 因此合适作为初级开关, 用于高效率高频隔离式DC-DC转换器, 电信和计算机应用. 也适用于需要低栅极驱动的应用.
- 出色的dv/dt能力
- 100％经过雪崩测试
- 针对应用的表征
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
110A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
312W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.009ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
STP
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Morocco
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Morocco
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002717