打印页面
STP20NM50
场效应管, MOSFET, N沟道, 550V, 20A, TO-220
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
3,028 有货
需要更多？
3028 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY49.500 (CNY55.935) |
| 10+ | CNY25.140 (CNY28.4082) |
| 100+ | CNY23.380 (CNY26.4194) |
| 500+ | CNY20.570 (CNY23.2441) |
| 1000+ | CNY20.190 (CNY22.8147) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY49.50 (CNY55.94 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
STP20NM50是一款MDmesh™ N沟道功率MOSFET，将多漏极工艺与PowerMESH™水平布局相结合。该器件具有出色的低导通电阻、卓越的dV/dt耐受能力以及优异的雪崩特性和动态性能。
- 高dV/dt和雪崩能力
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- -65至150°C工作结温范围
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
192W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
550V
漏源接通状态电阻
0.25ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
STP
湿气敏感性等级
-
相关产品
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Morocco
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Morocco
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002041