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产品概述
STP6NK90Z 是一款900V N沟道齐纳保护SuperMESH™功率MOSFET, 采用SuperMESH™技术, 提供PowerMESH™布局优化。低导通电阻, 优秀的dv/dt能力, 非常适合要求苛刻的的应用。良好的栅极电荷, 低功耗, 可以满足需要高效率的应用。
- 卓越的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
- 减少栅极电荷
- 非常低的内在电容
- 良好的制造重复性
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.8A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
140W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
900V
漏源接通状态电阻
2ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002