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| 10+ | CNY8.080 (CNY9.1304) |
| 100+ | CNY7.770 (CNY8.7801) |
| 500+ | CNY7.320 (CNY8.2716) |
| 1000+ | CNY6.640 (CNY7.5032) |
| 5000+ | CNY6.510 (CNY7.3563) |
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最低: 1
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产品概述
STP80NF12 是一款STripFET™ II N沟道功率MOSFET, 设计用于降低输入电容和栅极电荷。适合用作高效率高频隔离DC-DC转换器的主开关, 用于电信和计算机应用。还适用于需要低栅极驱动的任何应用。
- 出色的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
- 针对应用的表征
- 工作结温范围-55至175°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
80A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
120V
漏源接通状态电阻
0.013ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000907