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STP80NF55-06
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220, 通孔
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产品信息
制造商产品编号STP80NF55-06
库存编号1291987
产品范围STP
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds55V
电流, Id 连续80A
漏源接通状态电阻0.0065ohm
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散300W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围STP
合规-
MSLMSL 2 - 1年
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
The STP80NF55-06 is a 55V N-channel STripFET™ II Power MOSFET developed using unique "single feature size"™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Exceptional dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Application oriented characterization
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
80A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.0065ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
STP
MSL
MSL 2 - 1年
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002843