打印页面
STS4DNF60L
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 4 A, 0.045 ohm
产品信息
制造商产品编号STS4DNF60L
库存编号9935738RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds P沟道-
电流, Id 连续4A
连续漏极电流 Id N沟道4A
在电阻RDS（上）0.045ohm
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.045ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.7V
功耗 Pd2.5W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.5W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The STS4DNF60L is a N-channel STripFET™ Power MOSFET for switching applications. This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique "single feature size" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- Standard outline for easy automated surface-mount assembly
- Low threshold gate drive
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
4A
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.045ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
4A
在电阻RDS（上）
0.045ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
2.5W
耗散功率N沟道
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000149