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STS8DN6LF6AG
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
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|---|---|
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| 10+ | CNY8.690 (CNY9.8197) |
| 100+ | CNY5.800 (CNY6.554) |
| 500+ | CNY5.640 (CNY6.3732) |
| 1000+ | CNY5.470 (CNY6.1811) |
| 5000+ | CNY5.300 (CNY5.989) |
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品項附註
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产品信息
制造商产品编号STS8DN6LF6AG
库存编号3129917
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道8A
漏源通态电阻N沟道0.024ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.2W
耗散功率P沟道3.2W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.2W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.024ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.2W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00035