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STS8DN6LF6AG
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
产品信息
制造商产品编号STS8DN6LF6AG
库存编号3129917RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续8A
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道8A
在电阻RDS（上）0.021ohm
连续漏极电流 Id P沟道8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.024ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值2.5V
功耗 Pd3.2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.2W
耗散功率P沟道3.2W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
8A
连续漏极电流 Id N沟道
8A
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.024ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.2W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.021ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
3.2W
耗散功率N沟道
3.2W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00035