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|---|---|
| 1+ | CNY42.830 (CNY48.3979) |
| 10+ | CNY19.040 (CNY21.5152) |
| 100+ | CNY17.720 (CNY20.0236) |
| 500+ | CNY17.140 (CNY19.3682) |
| 1000+ | CNY16.800 (CNY18.984) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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产品概述
STW10NK80Z 是一款800V N沟道齐纳保护功率MOSFET, 采用SuperMESH™技术, 提供PowerMESH™布局优化。低导通电阻, 优秀的dv/dt能力, 非常适合要求苛刻的的应用。良好的栅极电荷, 低功耗, 可以满足需要高效率的应用。
- 卓越的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
- 减少栅极电荷
- 非常低的内在电容
- 良好的制造重复性
警告
静电敏感设备, 在处理设备时请采取适当的防护措施。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
9A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
160W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
0.9ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.006