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产品概述
The STW26NM50 is a 500V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- High dv/dt and avalanche capabilities
- Improved ESD capability
- Low input capacitance and gate charge
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
30A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
313W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.12ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
STW
湿气敏感性等级
-
STW26NM50 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:否
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:否
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.004309
