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STW45N65M5
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, 通孔
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产品概述
- 650V、35A N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET，采用 3 引脚 TO-247 封装
- 全球最佳 RDS（开启）区域
- 更高的 VDSS 额定值和高 dv/dt 能力
- 优秀的开关性能
- 100%经过雪崩测试
- 适用于开关应用
- 基于创新的专有垂直工艺技术，PowerMESH™ 水平布局结构
- 适用于需要高功率密度和出色效率的应用场合
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有波动。产品不享受折扣。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
210W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.067ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
MDmesh V
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
STW45N65M5 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002