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| 数量 | 价钱 (含税) | 
|---|---|
| 1+ | CNY25.260 (CNY28.5438) | 
| 10+ | CNY16.480 (CNY18.6224) | 
| 50+ | CNY14.910 (CNY16.8483) | 
| 100+ | CNY13.330 (CNY15.0629) | 
| 250+ | CNY11.650 (CNY13.1645) | 
| 500+ | CNY9.970 (CNY11.2661) | 
| 1000+ | CNY9.640 (CNY10.8932) | 
| 2500+ | CNY9.310 (CNY10.5203) | 
包装规格:单件(切割供应)
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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产品信息
制造商产品编号VNB10N07TR-E
库存编号4036197
技术数据表
电源负载开关类型-
通道数1放大器
输入电压18V
电流极限10A
通电阻0.1ohm
IC 外壳 / 封装TO-263 (D2PAK)
针脚数3引脚
热保护是
开/使能输入极性-
输出数1输出
工作温度最小值-
工作温度最高值-
合规-
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
汽车质量标准-
配电开关封装类型TO-263 (D2PAK)
产品概述
VNB10N07TR-E is a omnifet fully autoprotected power MOSFET. This mosfet is intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shut-down, Linear current limitation and overvoltage clamp protects the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
- ESD protection, integrated clamp
- Diagnostic feedback through input pin
- Compatible with standard power MOSFET
- Linear current limitation
- Short circuit protection
- Thermal shut down
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Storage temperature range is -55°C to 150°C
- Input voltage range is 18V
技术规格
电源负载开关类型
-
输入电压
18V
通电阻
0.1ohm
针脚数
3引脚
开/使能输入极性
-
工作温度最小值
-
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
汽车质量标准
-
通道数
1放大器
电流极限
10A
IC 外壳 / 封装
TO-263 (D2PAK)
热保护
是
输出数
1输出
工作温度最高值
-
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
配电开关封装类型
TO-263 (D2PAK)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00138