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TQM150NB04DCR RLG
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商产品编号TQM150NB04DCR RLG
库存编号3773033RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds N沟道40V
电流, Id 连续39A
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道39A
在电阻RDS（上）0.0103ohm
连续漏极电流 Id P沟道39A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0103ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0103ohm
晶体管封装类型PDFN56U
阈值栅源电压最大值2.8V
针脚数8引脚
功耗 Pd48W
耗散功率N沟道48W
耗散功率P沟道48W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
39A
连续漏极电流 Id N沟道
39A
连续漏极电流 Id P沟道
39A
漏源通态电阻N沟道
0.0103ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0103ohm
阈值栅源电压最大值
2.8V
功耗 Pd
48W
耗散功率P沟道
48W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
在电阻RDS（上）
0.0103ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PDFN56U
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
48W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004