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CSD86330Q3D
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 25 V, 20 A, 20 A, 4.6 ohm
产品信息
制造商产品编号CSD86330Q3D
库存编号3009684RL
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds25V
漏源电压Vds N沟道25V
电流, Id 连续20A
漏源电压Vds P沟道25V
在电阻RDS（上）4.6ohm
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道4.6ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道4.6ohm
晶体管封装类型SON
阈值栅源电压最大值1.4V
功耗 Pd6W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道6W
耗散功率P沟道6W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
产品概述
The CSD86330Q3D is a Synchronous Buck NexFET™ Power Block optimized for synchronous buck applications offering high current, high efficiency and high frequency capability in a small 3.3x3.3mm outline. Optimized for 5V gate drive applications, this product offers a flexible solution capable of offering a high density power supply when paired with any 5Vgate drive from an external controller/driver.
- Half-bridge power block
- 90% System efficiency at 15A
- High frequency operation (up to 1.5MHz)
- High density
- Low switching losses
- Ultra low inductance package
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
25V
电流, Id 连续
20A
在电阻RDS（上）
4.6ohm
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
4.6ohm
漏源导通电阻P沟道
4.6ohm
阈值栅源电压最大值
1.4V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
6W
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
25V
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SON
功耗 Pd
6W
耗散功率N沟道
6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00027