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CSD88537ND
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY8.600 (CNY9.718) |
| 500+ | CNY8.580 (CNY9.6954) |
| 1000+ | CNY8.560 (CNY9.6728) |
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产品概述
The CSD88537ND is a 60V Dual N-channel NexFET™ Power MOSFET designed to serve as a half bridge in low current motor control applications.
- Ultra low Qg and Qgd
- Avalanche rated
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.0125ohm
连续漏极电流 Id P沟道
15A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
15A
连续漏极电流 Id N沟道
15A
漏源通态电阻N沟道
0.0125ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0125ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
2.1W
耗散功率N沟道
2.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536