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CSD88537ND
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm
产品信息
制造商产品编号CSD88537ND
库存编号3009688RL
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续15A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.0125ohm
连续漏极电流 Id N沟道15A
连续漏极电流 Id P沟道15A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0125ohm
漏源导通电阻P沟道0.0125ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3V
功耗 Pd2.1W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.1W
耗散功率P沟道2.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
产品概述
The CSD88537ND is a 60V Dual N-channel NexFET™ Power MOSFET designed to serve as a half bridge in low current motor control applications.
- Ultra low Qg and Qgd
- Avalanche rated
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
15A
在电阻RDS（上）
0.0125ohm
连续漏极电流 Id P沟道
15A
漏源通态电阻N沟道
0.0125ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
15A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0125ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
2.1W
耗散功率N沟道
2.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536