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| 1+ | CNY158.670 (CNY179.2971) |
| 10+ | CNY126.690 (CNY143.1597) |
| 25+ | CNY118.700 (CNY134.131) |
| 50+ | CNY114.320 (CNY129.1816) |
| 100+ | CNY109.940 (CNY124.2322) |
| 250+ | CNY105.750 (CNY119.4975) |
包装规格:单件(切割供应)
最低: 1
多件: 1
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产品概述
The LF356H/NOPB is a first monolithic JFET input Operational Amplifier to incorporate well matched, high voltage JFETs on the same chip with standard bipolar transistors (BI-FET Technology). This amplifier features low input bias and offset currents/low offset voltage and offset voltage drift, coupled with offset adjust which does not degrade drift or common-mode rejection. The LF356 amplifier is also designed for high slew rate, wide bandwidth, extremely fast settling time, low voltage and current noise and a low 1/f noise corner.
- Replace expensive hybrid and module FET op-amps
- Rugged JFETs allow blow-out free handling compared with MOSFET input devices
- Offset adjust does not degrade drift or common-mode rejection as in most monolithic amplifiers
- New output stage allows use of large capacitive loads (5000pF) without stability problems
- Internal compensation and large differential input voltage capability
- Military rated
- Green product and no Sb/Br
警告
该设备静电防护措施有限, 存放时引线应短接在一起, 或将设备放置在导电泡漠中, 以防止静电对MOS门造成损坏.
技术规格
通道数
1放大器
典型压摆率
12V/µs
IC 外壳 / 封装
TO-99
放大器类型
FET/JFET 输入
输入偏移电压
3mV
芯片安装
通孔安装
工作温度最高值
70°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
汽车质量标准
-
放大器数量
1个放大器
增益带宽积
5MHz
电源电压范围
10V 至 36V
针脚数
8引脚
轨至轨
-
输入偏置电流
30pA
工作温度最小值
0°C
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
放大器封装类型
TO-99
带宽
5MHz
摆率
12V/µs
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000968