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SSM6L61NU,LF(T
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6L61NU,LF(T
库存编号3872303RL
也称为SSM6L61NU ,SSM6L61NU,LF
技术数据表
晶体管极性N和P沟道
通道类型N和P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续4A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.025ohm
连续漏极电流 Id N沟道4A
连续漏极电流 Id P沟道4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.025ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.025ohm
晶体管封装类型UDFN
阈值栅源电压最大值1V
针脚数6引脚
功耗 Pd1W
耗散功率N沟道1W
耗散功率P沟道1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
晶体管极性
N和P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
4A
在电阻RDS（上）
0.025ohm
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源通态电阻N沟道
0.025ohm
漏源导通电阻P沟道
0.025ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
1W
耗散功率P沟道
1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
UDFN
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001