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SSM6P49NU,LF(T
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.036 ohm
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|---|---|
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| 500+ | CNY1.480 (CNY1.6724) |
| 1000+ | CNY1.140 (CNY1.2882) |
| 5000+ | CNY0.964 (CNY1.0893) |
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6P49NU,LF(T
库存编号3872308RL
也称为SSM6P49NU ,SSM6P49NU,LF
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续4A
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道4A
在电阻RDS（上）0.036ohm
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源通态电阻N沟道0.036ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.036ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型UDFN
阈值栅源电压最大值1.2V
功耗 Pd1W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1W
耗散功率P沟道1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
4A
连续漏极电流 Id N沟道
4A
连续漏极电流 Id P沟道
4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.036ohm
漏源通态电阻N沟道
0.036ohm
漏源导通电阻P沟道
0.036ohm
晶体管封装类型
UDFN
功耗 Pd
1W
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001