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数量 | 价钱 (含税) |
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1+ | CNY16.570 (CNY18.7241) |
10+ | CNY10.610 (CNY11.9893) |
50+ | CNY10.330 (CNY11.6729) |
100+ | CNY10.050 (CNY11.3565) |
250+ | CNY9.720 (CNY10.9836) |
500+ | CNY9.370 (CNY10.5881) |
1000+ | CNY9.000 (CNY10.170) |
2500+ | CNY8.890 (CNY10.0457) |
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多件: 1
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TBD62785AFWG(Z,EHZ
库存编号4178791
也称为TBD62785AFWG, TBD62785AFWG(Z
技术数据表
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值50V
输出数8输出
输出电压50V
输出电流-500mA
驱动器封装类型PSOP
产品范围-
产品概述
TBD62785AFWG(Z,EHZ is a TBD62785A series BiCD silicon monolithic integrated circuit. It has a clamp diode for switching inductive loads built-in each output.
- 8-ch low active source type DMOS transistor array
- High output voltage is 50V (max, Ta = 25°C), large output current is -500mA (max,per 1 ch, Ta=25°C)
- Input voltage range from 0 to VCC-3.5V (Ta = -40 to 85°C, IOUT = -100mA or more, VDS=2V)
- Clamp diode forward current is 400mA (max, Ta = -40 to 85°C)
- Output leakage current is 1.0μA (max, VCC = 5.5V, VIN = VCC, Ta = 85°C)
- Current consumption is 4.0mA (max, VCC = 5.5V, VIN = 0V, Output OPEN, per 1 ch)
- Clamp diode forward voltage is 2.0V (max, IF = 350mA, Ta = 25°C)
- Turn on delay is 0.2μs (typ, VCC = 5.5V, RL = 16ohm, CL = 15pF)
- Turn off delay is 1.3μs (typ, VCC = 5.5V, RL = 16ohm, CL = 15pF)
- P-SOP18-0812-1.27-001 package, operating temperature range from -40 to 85°C
注释
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技术规格
电源电压最小值
4.5V
输出数
8输出
输出电流
-500mA
产品范围
-
电源电压最大值
50V
输出电压
50V
驱动器封装类型
PSOP
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00048