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TPN2R703NL,L1Q(M
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 90 A, 0.0022 ohm, TSON, 表面安装
产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TPN2R703NL,L1Q(M
库存编号4173231RL
也称为TPN2R703NL, TPN2R703NL,L1Q
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续90A
漏源接通状态电阻0.0022ohm
晶体管封装类型TSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.3V
功率耗散42W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围U-MOSVIII-H Series
合规-
产品概述
TPN2R703NL,L1Q(M 是一款 N-CH 30V、45A MOSFET，采用表面贴装 8TSON 封装。适用于高效 DC-DC 转换器和开关稳压器。
- 高速开关
- 小栅极电荷 QSW 为 5.2nC（典型值）
- 低漏极-源极导通电阻 RDS(ON) 为 3.3 mohm（典型值）（VGS = 4.5V）
- 低漏电流 IDSS 为 10µA（最大值）（VDS = 30V）
- 增强模式：Vth = 1.3 至 2.3V （VDS = 10V，ID = 0.3mA）
- 30V VDSS 漏极源极电压
- 20VGSS 栅源电压
- 45A 雪崩电流
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
90A
晶体管封装类型
TSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
42W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0022ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.3V
针脚数
8引脚
产品范围
U-MOSVIII-H Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00003