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XPH8R316MC,L1XHQ(O
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 90 A, 8300 µohm, SOP Advance, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商TOSHIBA
制造商产品编号XPH8R316MC,L1XHQ(O
库存编号4294086RL
产品范围U-MOSVI Series
也称为XPH8R316MC, XPH8R316MC,L1XHQ
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY11.470 (CNY12.9611) |
| 500+ | CNY9.430 (CNY10.6559) |
| 1000+ | CNY8.070 (CNY9.1191) |
| 5000+ | CNY7.380 (CNY8.3394) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号XPH8R316MC,L1XHQ(O
库存编号4294086RL
产品范围U-MOSVI Series
也称为XPH8R316MC, XPH8R316MC,L1XHQ
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续90A
漏源接通状态电阻8300µohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.1V
功率耗散170W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围U-MOSVI Series
合规AEC-Q101
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
90A
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
8引脚
产品范围
U-MOSVI Series
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
8300µohm
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
170W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000083