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SI6423DQ-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 8.2 A, 8500 µohm, TSSOP, 表面安装
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI6423DQ-T1-GE3
库存编号2335338
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续8.2A
漏源接通状态电阻8500µohm
晶体管封装类型TSSOP
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压1.8V
阈值栅源电压最大值800mV
功率耗散1.05W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- P-channel 12V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- Used in load switch
警告
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
8.2A
晶体管封装类型
TSSOP
Rds(on)测试电压
1.8V
功率耗散
1.05W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
8500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001