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SIHA12N60E-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 12 A, 0.32 ohm, TO-220F, 通孔
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIHA12N60E-E3
库存编号2422227
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.32ohm
晶体管封装类型TO-220F
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散33W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
The SIHA12N60E-E3 is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, PFC power supplies, adaptors, TV, game console and ATX power supply applications.
- Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge
- Avalanche energy rated
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
TO-220F
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
33W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.32ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
SIHA12N60E-E3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004