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SQJ940EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ940EP-T1_GE3
库存编号2364124
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道15A
连续漏极电流 Id P沟道15A
漏源通态电阻N沟道0.0133ohm
漏源导通电阻P沟道0.0133ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道48W
耗散功率P沟道48W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SQJ940EP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
15A
漏源导通电阻P沟道
0.0133ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
48W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
15A
漏源通态电阻N沟道
0.0133ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
48W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002