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| 10+ | CNY3.650 (CNY4.1245) |
| 25+ | CNY3.370 (CNY3.8081) |
| 50+ | CNY3.100 (CNY3.503) |
| 100+ | CNY2.820 (CNY3.1866) |
| 500+ | CNY2.390 (CNY2.7007) |
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品項附註
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产品概述
- Leaded silicon NPN phototransistor in clear, T-1 plastic package
- High photo sensitivity and high radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Angle of half sensitivity: ϕ = ± 25°
- 4mA maximum collector light current at Ee = 1 mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
技术规格
波长典型值
850nm
功耗
100mW
晶体管封装类型
T-1 (3mm)
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
视角
25°
针脚数
2引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000171