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IRFPG30PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-247AC, 通孔
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| 100+ | CNY13.110 (CNY14.8143) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号IRFPG30PBF
库存编号2646358
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds1kV
电流, Id 连续3.1A
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型TO-247AC
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散125W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
Third generation Power MOSFET provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
- Dynamic dV/dot rating
- Repetitive avalanche rated
- Isolated central mounting hole
- Fast switching
- Ease of Paralleling
- Simple drive requirements
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.1A
晶体管封装类型
TO-247AC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
1kV
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00567