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IRLD110PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, 通孔
已停产
产品信息
产品概述
- N-channel power MOSFET in HVMDIP package
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- For automatic insertion
- End stackable
- Logic-level gate drive
- 175°C operating temperature
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
晶体管安装
通孔
合规
-
晶体管封装类型
DIP
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000565