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MXP120A080FW-GE3
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247AD
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|---|---|
| 1+ | CNY86.800 (CNY98.084) |
| 5+ | CNY78.730 (CNY88.9649) |
| 10+ | CNY70.660 (CNY79.8458) |
| 50+ | CNY69.600 (CNY78.648) |
| 100+ | CNY68.530 (CNY77.4389) |
| 250+ | CNY67.160 (CNY75.8908) |
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产品概述
MXP120A080FW-GE3 is a MaxSiC™ 1200V N-channel SiC MOSFET in a TO-247 package. Typical applications charger, auxiliary motor drive and DC/DC converter.
- Fast switching speed
- Short circuit withstand time 3μs
- 80mohm drain source on state resistance at VGS=20V
- 29A continuous drain current
- 139W power dissipation
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
29A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
-
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247AD
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
139W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001