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SI1016X-T1-E3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.7 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1016X-T1-E3
库存编号1470089
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道600mA
连续漏极电流 Id P沟道600mA
漏源通态电阻N沟道0.7ohm
漏源导通电阻P沟道0.7ohm
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
耗散功率N沟道250mW
耗散功率P沟道250mW
工作温度最高值150°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jun-2015)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
600mA
漏源导通电阻P沟道
0.7ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
Compute Module 3+ Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
600mA
漏源通态电阻N沟道
0.7ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jun-2015)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：2.27