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SI2302CDS-T1-GE3
场效应管, MOSFET, N, SOT-23
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.540 (CNY4.0002) |
| 50+ | CNY2.920 (CNY3.2996) |
| 100+ | CNY2.300 (CNY2.599) |
| 500+ | CNY1.580 (CNY1.7854) |
| 1500+ | CNY1.550 (CNY1.7515) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品概述
The SI2302CDS-T1-GE3 is a 20V N-channel TrenchFET® power MOSFET for use in load switching for portable devices.
- ±8V Gate to source voltage
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.9A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
8V
功率耗散
710mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.057ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
850mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
SI2302CDS-T1-GE3 的替代之选
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008