打印页面
SI2308BDS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, 表面安装
131,008 有货
15,000 您现在可以预订货品了
980 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
118034 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
11994 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
该库存量售罄后，将不再备货
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.950 (CNY4.4635) |
| 50+ | CNY3.430 (CNY3.8759) |
| 100+ | CNY2.900 (CNY3.277) |
| 500+ | CNY1.930 (CNY2.1809) |
| 1500+ | CNY1.900 (CNY2.147) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY19.75 (CNY22.32 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
SI2308BDS-T1-GE3 的替代之选
找到 3 件产品
产品概述
The SI2308BDS-T1-GE3 is a N-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
- ±20V Gate-source voltage
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.3A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.09W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.156ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00004