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SI2308BDS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 50+ | CNY3.420 (CNY3.8646) |
| 100+ | CNY2.850 (CNY3.2205) |
| 500+ | CNY2.060 (CNY2.3278) |
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产品概述
The SI2308BDS-T1-GE3 is a N-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
- ±20V Gate-source voltage
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.3A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.09W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.156ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
SI2308BDS-T1-GE3 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00004